IT之家 3 月 18 日音书，据台媒 digitimes 当天音书，SK 海力士展望将独家供应英伟达 Blackwell Ultra 架构芯片第五代 12 层 HBM3E日本 男同，预期与三星电子、好意思光的差距将进一步拉大。

SK 海力士于客岁 9 月大师领先初始量产 12 层 HBM3E 芯片，已毕了最大 36GB 容量。12 层 HBM3E 的运行速率可达 9.6Gbps，在搭载四个 HBM 的 GPU 上运行‘Llama 3 70B’大谈话模子时每秒可读取 35 次 700 亿个举座参数的水平。

IT之家安适到，客岁 11 月日本 男同，SK 集团会长崔泰源示意，英伟达 CEO 黄仁勋条款 SK 海力士提前六个月供应被称为 HBM4 的下一代高带宽内存芯片。

SK 海力士想到在 2025 年下半年推出经受 12 层 DRAM 堆叠的首批 HBM4 居品，而 16 层堆叠 HBM 稍晚于 2026 年推出。

彭博社知情东说念主士本年 2 月露馅，三星电子公司已获取批准向英伟达供应其高带宽存储芯片 8 层 HBM3E。天然该批准标记着三星上前迈进了一步，但它在高带宽内存（HBM）时期方面仍然逾期于 SK 海力士和好意思光科技等竞争敌手。

而好意思光方面，好意思光实行副总裁兼首席财务官 Mark Murphy 本年 2 月露馅日本 男同，该公司的 12 层堆叠 HBM 内存居品（12Hi HBM3E）行将放量。